THz源

IMPATT二极管是一种微波和亚太赫兹波产生器件，主要特点为结构小巧，输出功率高，IMPATT二极管具有很窄的频段范围，所以二极管尺寸依赖于具体的频率范围。

浏览量:

1000

所属分类

THz仪器

数量

-

+



1

产品详情

IMPATT太赫兹源又名崩雪二极管，是一类稳定高效的微波和亚太赫兹波发生器件，其频率范围高达100-300GHz线通常较窄宽<1MHz。美国TeraSense公司现为IMPATT太赫兹源配备了保护隔离器，升级后更突出了其高功率输出和稳定性。在100GHZ工作频率下，配备保护隔离器后，输出功率可达80~400mW。除了高输出功率之外，IMPATT太赫兹源还具有精巧紧凑的人体工学设计，性价比高和寿命长的特点。IMPATT具有非常窄的工作频率线宽，所以二极管内部尺寸必须根据响应的频率来设计。TeraSense还可提供THz源的衰减器和开关部分。

IMPATT二极管的主要特点为结构小巧，输出功率高，IMPATT二极管具有很窄的频段范围，所以二极管尺寸依赖于具体的频率范围。

Terasense太赫兹源的技术特点

IMPATTdiode是一种具有负阻特性的周态微波二极管，其特性系由薄基片中的碰撞雪崩击穿效应和载流子渡越时间效应结合产生，基片通常由砷化锦或硅材料制成。当将这种二极管安装在可调谐腔体或波导中时，由载流子渡越时间引起的负阻被用作振荡器以产生微波振荡。

♦ 工作频率100G或者140G

♦ 80mW或者30mW功率输出

♦ 保护隔离器，稳定输出功率

♦ TTL调制，1us 上升下降时间

♦ 喇叭天线或者法兰接口

型号参数

型号	IMPATT diode@100GHz	IMPATT diode@140GHz
操作频率	100GHZ	140GHZ
TTL调制	1us 上升或下降时间	1us上升或下降时间
高功率输出	80mW /200mW/400mW/1W	30mw / 90mW
圆锥喇叭天线/法兰	固定喇叭/WR-8 or WR-10	固定喇叭/WR-6

型号	IMPATT diode@180GHz	IMPATT diode@200GHz
操作频率	180GHZ	200GHZ
TTL调制	1us 上升或下降时间	1us上升或下降时间
高功率输出	> 10mW	>50mW
圆锥喇叭天线/法兰	固定喇叭/WR	严格固定/WR

型号	IMPATT diode@300GHz	IMPATT diode@600GHz
操作频率	300GHZ	600GHZ
TTL调制	1us 上升或下降时间	1us上升或下降时间
高功率输出	10mW/25mW/50mW	1.5mW
圆锥喇叭天线/法兰	严格固定/WR	严格固定/WR